Katalogowe Parametry Przykładowych Elementów Energoelektronicznych, Elektronika

[ Pobierz całość w formacie PDF ]
Wydział Elektrotechniki
Informatyki i Telekomunikacji
KATALOGOWE PARAMETRY
PRZYKŁADOWYCH ELEMENTÓW
ENERGOELEKTRONICZNYCH
Zielona Góra 2005
SPIS TRE
Ś
CI
1. ELEMENTY BIERNE………………………………………………………………….3
1.1. Rezystory…………………………………………………………………………3
1.1.1. Parametry rezystorów………………………………………………………3
1.1.2. Oznaczenia rezystorów……………………………………………………..4
1.2. Kondensatory…………………………………………………………………….7
1.2.1 Parametry kondensatorów…………………………………………………..7
1.3. Cewki indukcyjne………………………………………………………………12
1.3.1 Parametry cewek…………………………………………………………..13
2.BIERNE BEZZŁ
Ą
CZOWE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE……………15
2.1. Termistory NTC i PTC………………………………………………………….15
2.1.1. Podstawowe parametry termistora NTC i PTC...........................................16
2.3. Warystory……………………………………………………………………….17
2.3.1. Parametry warystorów…………………………………………………….17
3. ELEMENTY JEDNOZŁ
Ą
CZOWE………………………………………………….19
3.1.Ogólna charakterystyka diód…………………………………………………….19
3.2. Diody prostownicze bipolarne…………………………………………………..20
3.2.1. Parametry diody prostowniczej…………………………………………...21
3.3. Diody unipolarne Schottyky’ego……………………………………………….23
3.4. Diody stabilizacyjne (Zenera)…………………………………………………..26
3.4.1. Parametry diody stabilizacyjnej…………………………………………..26
4. CZYNNE ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE WIELOZŁ
Ą
CZOWE……...28
4.1. Tranzystor bipolarny mocy……………………………………………………..28
4.1.1. Parametry tranzystorów…………………………………………………...29
4.1.2. Zastosowanie tranzystorów…………………………………………….....30
4.2. Tranzystor unipolarny FET……………………………………………………..30
4.2.1. Tranzystory polowe zł
ą
czowe FET……………………………………….31
4.2.2. Zasada działania tranzystora polowego FET……………………………...32
4.2.3. Parametry i charakterystyki tranzystora polowego JFET……………........33
4.3. Tranzystor unipolarny MOSFET……………………………………………….35
4.3.1. Zasada działania tranzystora MIS (MOS)………………………………...35
4.3.2.Charakterystyki tranzystorów MOSFET
………………………………....38
4.4. Tranzystor bipolarny z izolowan
ą
bramk
ą
IGBT (BIMOS)……………………39
5. ELEMENTY PRZEŁ
Ą
CZNIKOWE……………………………………………..….40
5.1. Diaki…………………………………………………………………………….40
5.1.1. Parametry diaków…………………………………………………………...40
5.2. Triaki………………………………………………………………………………….41
5.2.1 Parametry triaków…………………………………………………………...42
5.3. Tyrystory………………………………………………………………………..43
5.3.1. Parametry i charakterystyki tyrystorów…………………………………….43
5.3.2. Zalety i wady tyrystorów…………………………………………………...47
5.4. Fototyrystor……………………………………………………………………..47
6. LITERATURA………………………………………………………………………...49
- 2 -
1.ELEMENTY BIERNE.
1.1. REZYSTORY
Rezystor to najpopularniejszy element elektroniczny, zwykle zbudowany w postaci
wałeczka z dwoma wyprowadzeniami. Słu
ż
y on najcz
ęś
ciej do ograniczania pr
ą
du lub
uzyskania wymaganych napi
ęć
. Najwa
ż
niejszym parametrem rezystora jest rezystancja
oznaczana liter
ą
R. Jest to w uproszczeniu zdolno
ść
do przeciwstawienia si
ę
przepływowi
pr
ą
du.
1.1.1. Parametry rezystorów
Rezystancja nominalna-
rezystancja, jak
ą
powinien mie
ć
rezystor.
Tolerancja
- (klasa dokładno
ś
ci)
-
poniewa
ż
ze wzgl
ę
du na rozrzuty produkcyjne rezystory
nie maj
ą
rezystancji dokładnie zgodnej z rezystancj
ą
znamionow
ą
, podaje si
ę
maksymalne
dopuszczalne odchyłki. Wyra
ż
a si
ę
to w procentach warto
ś
ci znamionowej.
Moc znamionowa-
najwi
ę
ksza dopuszczalna moc wydzielana na rezystorze przy pracy
ci
ą
głej w temperaturze otoczenia mniejszej ni
ż
70 º C (dla niektórych typów 40 º C).
Napi
ę
cie graniczne
- maksymalne napi
ę
cie stałe lub amplituda napi
ę
cia zmiennego, jakie
mo
ż
e by
ć
doł
ą
czone do rezystora w sposób ci
ą
gły.
Rezystancja krytyczna
- rezystancja, przy której dla napi
ę
cia granicznego otrzymuje si
ę
moc znamionow
ą
. Rezystory o rezystancji znamionowej wi
ę
kszej ni
ż
krytyczna wolno
obci
ąż
a
ć
moc
ą
tym mniejsz
ą
, im wi
ę
ksza jest ich rezystancja znamionowa.
Napi
ę
cie szumów-
w czasie pracy wyst
ę
puj
ą
w nim szybkie, przypadkowe zmiany
rezystancji, które powoduj
ą
powstawanie na jego ko
ń
cówkach napi
ę
cia szumów,
proporcjonalne do napi
ę
cia doprowadzonego do rezystora. Napi
ę
cie szumów wywołane
jednym Voltem napi
ę
cia doprowadzonego jest parametrem rezystora charakteryzuj
ą
cym
jego wła
ś
ciwo
ś
ci szumowe.
Temperaturowy współczynnik rezystancji
-
oznaczony w krajowych
ź
ródłach TWR, lub
z angielskiego TCR, okre
ś
la zmiany rezystancji pod wpływem temperatury. Czym
mniejsza warto
ść
TCR, tym bardziej stabilny rezystor. Warto
ść
TCR podaje si
ę
w %/K lub
ppm/K (gdzie 1%=104 ppm).
- 3 -
Niestabilno
ść
parametrów rezystora w zale
ż
no
ś
ci od warunków otoczenia.
Jednym z
głównych czynników warunkuj
ą
cych zachowanie parametrów rezystora jest temperatura.
Oprócz rezystancji zmieniaj
ą
si
ę
tak
ż
e inne parametry. Dopuszczalne obci
ąż
enie
rezystorów jest stałe do pewnej granicy temperatury (zazwyczaj ok. 60˚C), po której
przekroczeniu nast
ę
puje jego spadek z 100 do 0% na długo
ś
ci ok. 40˚C. Na parametry
maj
ą
wpływ tak
ż
e inne czynniki zewn
ę
trzne zawarte parametrów tabeli 1.1
.
Tabela 1.1. Zmiany rezystancji rezystora w
ę
glowego w zale
ż
no
ś
ci od czynników zewn
ę
trznych
Czynnik
Zmiana rezystancji
Na stałe
R = 1k
R = 10 M.
Lutowanie (350˚C w odległo
ś
ci 3 mm
± 2%
± 2%
tak
Cykliczne obci
ąż
anie (500-krotne wł
ą
czanie i
± 4 – 6%
± 4 – 6%
tak
wył
ą
czanie napi
ę
cia w ci
ą
gu 1000 godzin)
Wibracje (20 g) i wstrz
ą
sy (100 g)
± 2%
± 2%
tak
Wilgotno
ść
(wilgotno
ść
wzgl
ę
dna 95% w
+ 6%
+ 10%
nie
temp. 40˚C)
Współczynnik napi
ę
ciowy (zmiana o 10 V)
-0,15%
-0,3%
nie
Temperatura (25˚C do -15˚C)
+2,5%
+4,5%
nie
Temperatura (25˚C do 85˚C)
+3,3%
+5,9%
nie
1.1.2. Oznaczenie rezystorów.
W oznaczeniach rezystorów stosuje si
ę
trzy kody:cyfrowy, cyfrowo- literowy i barwny
paskowy.
Kod cyfrowy polega na zapisywaniu warto
ś
ci rezystancji, tolerancji, temperaturowym
współczynniku rezystancji itp. za pomoc
ą
cyfr, np.: 210 W, 1 kW = 1000 W, 1,2
MW 20%, 470 k 0,5% 10%/K itp. (
W praktyce cz
ę
sto pomija si
ę
symbol W przy zapisie
warto
ś
ci wi
ę
kszych od1000
, a wi
ę
c 1k
mo
ż
e by
ć
zapisany jako 1k).
Kod cyfrowo- literowy natomiast polega na zast
ą
pieniu niektórych warto
ś
ci literami
(tabela 1.2.a, b, c). W przypadku kodu MIL mno
ż
nikiem warto
ś
ci rezystancji jest ostatnia
cyfra.
- 4 -
Tabela 1.2. Kody cyfrowo literowe
a) warto
ś
ci rezystancji
Warto
ść
rezystancji
Według IEC Według MIL
0,22
R22
-
3,9
3R9
3R9
75
75R
750
910
910R, K91
911
1,8 k
1K8
182
62 k
62K
623
470 k
470K, M47
474
5,6 M
5M6
565
36 M
36M
366
1,54 k
1K54
1541
43,2 k
43K2
4322
931 k
931K
9313
1,24 M
1M24
1244
b) tolerancji
Kod
Tolerancja
N
30%
M.
20%
K
10%
J
5%
G
2%
F
1%
D
0,5%
C
0,25%
B
0,1%
W
0,05%
P
0,002%
L
0,001%
E
0,0005%
- 5 -
[ Pobierz całość w formacie PDF ]
  • zanotowane.pl
  • doc.pisz.pl
  • pdf.pisz.pl
  • klobuckfatima.xlx.pl